薄膜沉積（CVD與PVD）
作為半導體製造中所處理薄膜厚度的標準，下列何者最適當？
- A數nm～數µm左右
- B數mm～數cm左右
- C數m左右
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正確答案：A. 數nm～數µm左右
LSI製造中所沉積的薄膜，從閘極絕緣膜般的數nm（數十個原子的厚度），到配線或層間絕緣膜般的數百nm～數µm左右都有。1 nm為10⁻⁹ m，1 µm為10⁻⁶ m，與頭髮的粗細（約80 µm）相比，是薄上好幾個數量級的薄膜。最薄的薄膜僅有數層原子，在ALD等製程中要求±0.1 nm左右的精度。
- A. 正確。是數nm～數µm左右的薄膜。
- B. 數mm以上比晶圓還厚，不是薄膜。
- C. 數m是製造裝置大小的數量級。