ALD所沉積的代表性材料例子，下列何者正確？

正確答案：C. High-k膜的氧化鉿或氮化鈦等

ALD能以原子層為單位控制膜厚，且階梯覆蓋率優異，因此用於需要薄而均勻薄膜的用途，例如High-k閘極絕緣膜的氧化鉿、金屬閘極與阻障層的氮化鈦、DRAM電容的氧化鋯、3D NAND電荷捕捉層周邊的薄膜、多重圖案化的間隔層等。在先進的邏輯與記憶體中，ALD在成膜製程中所佔的比例持續增加。