先進技術(3D構裝與小晶片)

在3D NAND中,將記憶單元陣列與周邊電路分別在不同晶圓上製作再貼合的方式,下列關於其優點的敘述何者正確?

  1. A製造步驟一定只需一道
  2. B不再需要記憶單元
  3. C可分別以適合各自的製程製造,並縮小晶片面積
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正確答案:C. 可分別以適合各自的製程製造,並縮小晶片面積

將記憶單元陣列與周邊電路(CMOS電路)分別在不同晶圓上以最佳製程製作,再貼合連接,周邊電路會疊在記憶單元下方,因此能縮小晶片面積。形成單元陣列時有高溫步驟,若改在另一片晶圓上製作,周邊電路的電晶體就不會因該熱而劣化,可做到高效能。兩片晶圓可並行製造,因此也有助於縮短製造期間。

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