蝕刻 氮化矽膜的濕式蝕刻一般使用的藥液是下列何者? A純水 B熱磷酸 C氨水 查看答案與解析 正確答案:B. 熱磷酸 氮化矽膜可使用加熱至約160 ℃的濃磷酸進行蝕刻,對氧化層可取得數十至100以上的高選擇比。它用於LOCOS或STI形成後去除作為遮罩使用的氮化膜之步驟,以及在3D NAND中,從氧化層與氮化層交替堆疊的層中僅去除氮化層、並置換為字元線金屬的步驟。由於液中的矽濃度會改變選擇比,所以需要嚴格管理。