蝕刻

氮化矽膜的濕式蝕刻一般使用的藥液是下列何者?

  1. A純水
  2. B熱磷酸
  3. C氨水
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正確答案:B. 熱磷酸

氮化矽膜可使用加熱至約160 ℃的濃磷酸進行蝕刻,對氧化層可取得數十至100以上的高選擇比。它用於LOCOS或STI形成後去除作為遮罩使用的氮化膜之步驟,以及在3D NAND中,從氧化層與氮化層交替堆疊的層中僅去除氮化層、並置換為字元線金屬的步驟。由於液中的矽濃度會改變選擇比,所以需要嚴格管理。

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