什麼是TLC(三階儲存單元)

在快閃記憶體的 1 個單元中記憶 3 位元的方式。必須區分 8 種臨界電壓狀態，每容量成本降低，但可覆寫次數變少。1 個單元 4 位元的是 QLC。

日文名稱: TLC(トリプルレベルセル)

「TLC(三階儲存單元)」出現在1領域的9道練習題中（SRAM與快閃記憶體等）。

這個名詞所屬的領域: SRAM與快閃記憶體

練習TLC(三階儲存單元)的題目

在 TLC 或 QLC 的 SSD 中，把一部分區域當作 SLC 使用、暫時承接寫入的機制，其主要目的為何？

  1. A增加容量
  2. B加密資料
  3. C加快寫入速度
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正確答案：C. 加快寫入速度

TLC、QLC 因為要精細地做出各種狀態，寫入需要時間。因此將部分空白區域以 SLC 模式使用，先高速寫入該處，再於閒置時搬移到 TLC/QLC 區域（SLC 快取）。持續寫入大量資料而使快取溢出時，速度會大幅下降到原本的寫入速度，所以複製大型檔案時，速度可能在中途下滑。

將 SLC、MLC、TLC 依可改寫次數由多到少排列，下列何者正確？

  1. ATLC > MLC > SLC
  2. BSLC > MLC > TLC
  3. CMLC > SLC > TLC
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正確答案：B. SLC > MLC > TLC

每個單元的位元數越少，臨界電壓狀態的間隔越寬，即使氧化膜劣化使分布變寬，仍能正確讀取，因此可改寫次數越多。一般為 SLC > MLC > TLC > QLC，大致標準為 SLC 約 10 萬次、MLC 數千～1 萬次、TLC 數千次、QLC 約 1000 次。需要高耐久性的工業用途，以及 SSD 的快取區域會使用 SLC 模式。

解析中的「TLC(三階儲存單元)」

出現「TLC(三階儲存單元)」的題目（9題）

  1. 在 TLC 或 QLC 的 SSD 中，把一部分區域當作 SLC 使用、暫時承接寫入的機制，其主要目的為何？
  2. 將 SLC、MLC、TLC 依可改寫次數由多到少排列，下列何者正確？
  3. 多值（MLC 或 TLC）NAND 快閃記憶體中，使相鄰臨界電壓狀態所分配的位元排列只相差 1 位元，其理由下列何者正確？
  4. 快閃記憶體中，一個記憶單元儲存 3 位元資訊的方式稱為什麼？
  5. 關於 3D NAND 型快閃記憶體的說明，下列何者正確？
  6. 快閃記憶體的可改寫次數有上限，主要原因為何？
  7. SLC（Single-Level Cell）型快閃記憶體，每個單元儲存幾位元？
  8. SLC 型 NAND 快閃記憶體的可改寫次數標準，最接近下列何者？
  9. NAND 型快閃記憶體中，讀取與寫入（程式化）資料的基本單位為何？

出現這個名詞的比較

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