3D NAND란?

すりーでぃーなんど

NANDフラッシュのメモリセルを垂直方向に多数積み重ねて大容量化したもの。平面の微細化の限界を超えるために導入され、積層数は200層以上に達している。

일본어 명칭: 3D NAND

3D NAND은(는) 첨단 패키징(3D와 칩렛) 등 1개 분야의 연습 문제 1개에 나와요.

분야: SRAM과 플래시 메모리

도전해 보기: 3D NAND 관련 문제

3D NAND에서 메모리 셀 어레이와 주변 회로를 서로 다른 웨이퍼에서 만들어 접합하는 방식의 이점으로 올바른 것은?

A제조 공정이 반드시 한 공정으로 끝난다
B메모리 셀이 필요 없어진다
C각각에 적합한 공정으로 제조할 수 있고, 칩 면적을 줄일 수 있다

정답과 해설 보기

정답: C. 각각에 적합한 공정으로 제조할 수 있고, 칩 면적을 줄일 수 있다

메모리 셀 어레이와 주변 회로(CMOS 회로)를 서로 다른 웨이퍼에서 각각 최적의 공정으로 만들어 접합·연결하면, 주변 회로가 메모리 셀 아래에 겹쳐지므로 칩 면적을 줄일 수 있습니다. 셀 어레이 형성에는 고온 공정이 있으므로 별도 웨이퍼로 만들면 주변 회로의 트랜지스터가 그 열로 열화되지 않아 고성능화할 수 있습니다. 두 웨이퍼를 병행하여 제조할 수 있어 제조 기간 단축으로도 이어집니다.

3D NAND이(가) 나오는 문제 (1)

3D NAND에서 메모리 셀 어레이와 주변 회로를 서로 다른 웨이퍼에서 만들어 접합하는 방식의 이점으로 올바른 것은?

3D NAND란?

도전해 보기: 3D NAND 관련 문제

3D NAND에서 메모리 셀 어레이와 주변 회로를 서로 다른 웨이퍼에서 만들어 접합하는 방식의 이점으로 올바른 것은?

3D NAND이(가) 나오는 문제 (1)

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