DRAM
3D DRAM難以只像3D NAND那樣堆疊大量層數來實現，其主要原因下列何者正確？
- ADRAM無法改寫資料
- BDRAM的單元電晶體只能用矽製作
- C每個單元都需要儲存電荷的電容，而現今的電容是垂直方向非常長的形狀
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正確答案：C. 每個單元都需要儲存電荷的電容，而現今的電容是垂直方向非常長的形狀
3D NAND堆疊數百層作為字元線的膜，一次開出垂直的孔來形成單元串列。DRAM的每個單元都需要儲存電荷的電容，平面DRAM把電容做成細而深的形狀來確保電容值，因此無法直接堆疊。所以3D DRAM正在研究把電晶體與電容橫躺排列在各層中的結構，以及利用IGZO等氧化物半導體電晶體的寄生電容保存電荷、不用電容的單元。橫躺的單元每層面積較大，能否以低成本堆疊許多層是關鍵。
- A. DRAM是可自由讀寫的記憶體。
- B. 也有使用IGZO等氧化物半導體電晶體的單元在研究中。
- C. 正確。電容的形狀使堆疊變得困難。