DRAM
作為未來DRAM大容量化的手段而持續進行研發的3D DRAM，其概念下列何者正確？
- A將記憶單元沿縱向堆疊，不單靠平面微縮來增加容量
- B僅靠放大晶片來增加容量
- C將DRAM替換為SRAM
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正確答案：A. 將記憶單元沿縱向堆疊，不單靠平面微縮來增加容量
DRAM在電容的高深寬比化與單元電晶體的微縮上已接近極限。因此，像3D NAND那樣將單元沿縱向堆疊的3D DRAM研發持續推進，目前正在探討將電晶體與電容橫向放置並堆疊多層的結構，以及不使用電容的單元等。若能實現，就能不依賴平面微縮而增加容量，但量產技術仍在開發階段。