MRAM 的記憶元件（MTJ），一般是在邏輯 LSI 的哪個製程中製作？

正確答案：A. 後段製程（BEOL）的導線層之間

MTJ 是在電晶體製作完成之後的後段製程（BEOL）中，形成於導線層之間。其優點是不必更動電晶體的製程即可嵌入，且同樣的 MTJ 技術容易跨世代沿用。不過需要能承受後段製程熱處理（約 400 ℃）的 MTJ 材料，磁性膜的加工中，為了防止金屬再附著，會使用離子束蝕刻等特殊技術。