新世代記憶體

為了降低 MRAM 寫入能量而正被研究的,以電壓改變磁性層磁異向性的效應是下列何者?

  1. A席貝克效應
  2. BVCMA(電壓控制磁異向性)
  3. C壓阻效應
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正確答案:B. VCMA(電壓控制磁異向性)

VCMA(Voltage-Controlled Magnetic Anisotropy)是對薄磁性層與絕緣層(MgO 等)的界面施加電壓時,界面的電子狀態改變,使磁化的易取向程度(磁異向性)改變的效應。由於幾乎不必通過電流就能輔助磁化反轉,期待比以電流寫入的 STT 方式降低 1~2 個數量級的寫入能量。如何精確地在適當時機停止反轉的時序控制是課題。

  • A. 席貝克效應是由溫差產生電壓的熱電效應。
  • B. 正確。是以電壓改變磁異向性的效應。
  • C. 壓阻效應是電阻隨應力改變的效應,用於壓力感測器等。
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