新世代記憶體
微縮相變記憶體時會成為問題的，寫入時的熱傳到相鄰單元而改變其狀態的現象是下列何者？
- A列鎚攻擊（Rowhammer）
- B靜電放電
- C熱干擾（熱串擾）
查看答案與解析
正確答案：C. 熱干擾（熱串擾）
PCM 寫入時，會把材料加熱到數百 ℃（重置時為 600 ℃ 以上）。當單元間距縮小到數十 nm 以下，熱會傳到相鄰單元，處於非晶態的相鄰單元可能被意外結晶化。這就是熱干擾。對策有將加熱部限制在電極細小部分的結構（蕈狀等），以及以不易傳熱的絕緣材料包圍的隔熱結構。
新世代記憶體
正確答案：C. 熱干擾（熱串擾）
PCM 寫入時，會把材料加熱到數百 ℃（重置時為 600 ℃ 以上）。當單元間距縮小到數十 nm 以下，熱會傳到相鄰單元，處於非晶態的相鄰單元可能被意外結晶化。這就是熱干擾。對策有將加熱部限制在電極細小部分的結構（蕈狀等），以及以不易傳熱的絕緣材料包圍的隔熱結構。