關於 ReRAM（電阻式記憶體）的記憶原理，下列何者正確？

正確答案：B. 對金屬氧化物等施加電壓，在高電阻狀態與低電阻狀態之間切換

ReRAM 的結構簡單，是以電極夾住金屬氧化物等薄膜，施加電壓時，膜中由氧空缺聚集而成的導電細絲會形成或斷裂，使電阻改變 10 倍以上。元件小且可在後段製程製作，適合嵌入邏輯電路，以及以交叉點結構達成高密度化。已實用化為微控制器的嵌入式記憶體，電阻變異大是其課題。