關於相變記憶體（PCM）的記憶原理，下列何者正確？

正確答案：B. 硫族化物材料的結晶狀態與非晶態之間的電阻差異

PCM 以電流的焦耳熱對 GeSbTe 等硫族化物材料加熱、急速冷卻，在低電阻的結晶狀態與高電阻的非晶態之間切換。電阻差異高達 2～3 個數量級，也可以做出中間值來達成多值化。同樣的材料也利用結晶與非晶之間光反射率不同的性質，用於可重複寫入的 DVD 與藍光光碟。需要大電流才能寫入是其課題。