新世代記憶體
相變記憶體（PCM）中，在一個單元記憶多個位元（多值化）的方法，下列何者正確？
- A改變單元的顏色
- B讓單元的磁化方向有多種
- C控制單元中非晶區域的大小等，做出不同的中間電阻值
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正確答案：C. 控制單元中非晶區域的大小等，做出不同的中間電阻值
PCM 中，若以寫入脈衝的高度與長度控制單元內非晶區域的大小（與結晶部分的比例），就能做出介於高電阻與低電阻之間的中間電阻值。由於電阻差高達 2～3 個數量級，只要區分多個位準，一個單元就能記憶 2 位元以上。不過因為有電阻漂移與隨溫度的變化，需要寫入後確認並調整的方式，以及補償漂移的讀取方法。
- A. PCM 以電阻記憶，並不使用顏色。
- B. 以磁化方向記憶的是 MRAM。
- C. 正確。做出不同的中間電阻值。