什麼是儲存級記憶體

以填補 DRAM 與 NAND 快閃記憶體之間在速度、容量、成本上的差距為目標的非揮發性記憶體。使用 3D XPoint 的產品曾是代表例。

日文名稱: ストレージクラスメモリ

「儲存級記憶體」出現在1領域的2道練習題中(新世代記憶體等)。

這個名詞所屬的領域: 新世代記憶體

練習儲存級記憶體的題目

關於「儲存級記憶體」的定位,下列何者正確?

  1. A填補 DRAM 與 NAND 快閃記憶體之間速度、容量與成本差距的非揮發性記憶體
  2. BCPU 內部的暫存器
  3. C光碟的一種
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正確答案:A. 填補 DRAM 與 NAND 快閃記憶體之間速度、容量與成本差距的非揮發性記憶體

DRAM 與 NAND 之間,存取時間約差 1000 倍(數十 ns 對數十 µs),每位元單價約差 10 倍。填補其間、比 DRAM 便宜且容量大、又比 NAND 快上數個數量級的非揮發性記憶體,稱為儲存級記憶體(SCM)。使用相變記憶體的 Intel Optane 是代表例,但已於 2022 年宣布終止,現在由高速的 SLC 型 NAND 與透過 CXL 連接的記憶體等擔任這個領域。

過去由 Intel 與 Micron 共同開發,並以「Optane」產品名稱販售的儲存級記憶體技術是下列何者?

  1. A3D NAND
  2. B3D XPoint
  3. CHBM
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正確答案:B. 3D XPoint

3D XPoint 是將電阻變化型(被認為是相變系)的記憶元件與 OTS 選擇器放在縱橫導線的交點並堆疊而成的記憶體,2015 年發表,並以 Optane 商品化。宣稱比 NAND 快約 1000 倍,且比 DRAM 容量大、價格低,並製作了 SSD 與主記憶體用的模組。然而在與效能持續提升的 NAND 和 DRAM 的價格競爭中市場未能擴大,於 2022 年宣布終止該事業。

解析中的「儲存級記憶體」

出現「儲存級記憶體」的題目(2題)

  1. 關於「儲存級記憶體」的定位,下列何者正確?
  2. 過去由 Intel 與 Micron 共同開發,並以「Optane」產品名稱販售的儲存級記憶體技術是下列何者?

相關名詞

非揮發性記憶體 PCM(相變記憶體) SLC(單階儲存單元) CXL(Compute Express Link) 3D XPoint 交叉點型記憶體 記憶體內運算 硫族化合物 電鑄(Forming) 磁性穿隧接面(MTJ)

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