新世代記憶體
關於 SOT-MRAM 的特徵,下列何者正確?
- A照射光線進行寫入
- B以電容的電荷記憶
- C以通過重金屬層的電流所產生的自旋軌道力矩使磁化反轉,並可將寫入與讀取的電流路徑分開
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正確答案:C. 以通過重金屬層的電流所產生的自旋軌道力矩使磁化反轉,並可將寫入與讀取的電流路徑分開
SOT-MRAM 在 MTJ 下方的鎢或鉑等重金屬層通以電流時,藉由自旋霍爾效應產生的自旋軌道力矩,使記錄層的磁化反轉。由於寫入電流不通過穿隧位障,位障不易劣化,且可將寫入與讀取的路徑分開,也能做到 1 ns 以下的高速寫入。代價是單元變成三端子而面積變大,因此期待用於接近 SRAM 的快取用途。