ReRAM 中，最初施加較高電壓以形成導電細絲的初始化步驟稱為什麼？

正確答案：B. 成形（Forming）

多數 ReRAM 在剛製造完成時是高電阻，必須先施加比正常操作更高的電壓，形成氧空缺等導電路徑。這就是成形。之後只需切斷或連接所形成細絲前端的細小部分，因此可以較低的電壓在高電阻與低電阻之間切換。成形電壓高會增加周邊電路的負擔，因此也有研究使其不再需要的材料與結構。