新世代記憶體
相變記憶體（PCM）中，使單元成為高電阻非晶態（重置）的方法，下列何者正確？
- A施加磁場使磁化反轉
- B以大電流脈衝加熱至熔點以上後急速冷卻
- C在結晶化溫度附近長時間保持
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正確答案：B. 以大電流脈衝加熱至熔點以上後急速冷卻
重置時，以大電流脈衝（數十～數百 ns）將材料加熱到熔點（GST 約 600 ℃）以上使其熔化，並在數 ns 內急速冷卻，不給原子排列的時間而成為非晶態。相反地，設定時則是在結晶化溫度以上、熔點以下保持一段時間使其結晶化。重置電流大是 PCM 功耗上的課題，可藉由縮小加熱體積的結構來減少。