MRAM 中用來記憶 1 位元資訊的元件，以兩個磁性層夾住薄絕緣層的結構稱為什麼？

正確答案：C. 磁性穿隧接面（MTJ）

MRAM 的記憶元件是在兩個磁性層（CoFeB 等）之間夾著厚約 1 nm 的絕緣層（MgO 等穿隧位障）的磁性穿隧接面（MTJ）。電子藉由量子力學的穿隧效應穿過絕緣層，其穿過的難易度隨兩側磁化方向的關係而改變。實際的 MTJ 是以包含許多用來穩定參考層之層的十幾層堆疊膜製成。

• A. PN 接面是 p 型與 n 型半導體的接面。
• B. 蕭特基接面是金屬與半導體的接面。
• C. 正確。是以磁性層夾住絕緣層的 MTJ。