新世代記憶體

近年的 STT-MRAM 中,磁化方向垂直於膜面的 MTJ(垂直磁化 MTJ)成為主流,其理由下列何者正確?

  1. A製造時不再需要磁性材料
  2. B即使微縮也容易保持熱穩定性,寫入電流也容易降低
  3. C讀取時可以使用光
查看答案與解析

正確答案:B. 即使微縮也容易保持熱穩定性,寫入電流也容易降低

磁化在膜面內的 MTJ,靠橢圓形等元件的形狀來穩定磁化方向,因此縮小後就無法維持穩定性。垂直磁化 MTJ 則靠 CoFeB 與 MgO 界面等處產生的垂直磁異向性來穩定磁化,所以即使是圓形的小元件也能確保熱穩定性,寫入電流也能降低。這項材料技術使 STT-MRAM 得以量產(2010 年代後半)。

練習這個領域 前往領域頁面

新世代記憶體的其他題目

  1. 在將電阻變化元件配置於縱橫導線交點的交叉點型記憶體中,為了防止電流繞進未被選擇的單元,與記憶元件串聯的元件是下列何者?
  2. 閘極絕緣膜使用鐵電體的 FeFET,其特徵下列何者正確?
  3. 相變記憶體(PCM)中,非晶態的電阻值隨時間逐漸增加的現象稱為什麼?
  4. MRAM 資料的讀取方法,下列何者正確?
  5. 作為相變記憶體記錄材料的代表 GST,是什麼樣的材料?

這個領域的比較