新世代記憶體
STT-MRAM 的寫入具有機率性質,由此造成的設計上課題,下列何者正確?
- A寫入需要光
- B需要讓寫入電流與脈衝寬度留有餘裕,或搭配錯誤更正
- C寫入一定會失敗
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正確答案:B. 需要讓寫入電流與脈衝寬度留有餘裕,或搭配錯誤更正
STT-MRAM 的磁化反轉是受熱擾動影響的機率性現象,即使電流與脈衝寬度相同,也偶爾會寫入失敗(寫入錯誤率)。增加電流可減少失敗,但 MgO 位障會接近絕緣崩潰而縮短壽命。因此以讓電流與脈衝寬度留有餘裕、寫入後確認並在必要時重新寫入、搭配 ECC 等方法來確保可靠度。