新世代記憶體
MRAM 的記憶元件（MTJ）縮得太小時，容易成為問題的是下列何者？
- A熱擾動使磁化容易反轉，資料保存變得困難
- B元件會發光
- C元件的電阻變成 0
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正確答案：A. 熱擾動使磁化容易反轉，資料保存變得困難
維持磁化的能量位障為「磁異向性 × 體積」，元件越小，位障越小。與熱能 kT 的比值（熱穩定性指數 Δ），要保存 10 年大約需要 60 以上，低於此值時，磁化容易因熱擾動而自行反轉。另一方面，Δ 變大則寫入電流也會增加，因此保存與寫入的兼顧是微縮的課題，以垂直磁化材料與形狀的設計來因應。