新世代記憶體
與快閃記憶體相比，MRAM 的一般優點，下列何者正確？
- A每位元成本低得多
- B斷電後資料就會消失
- C可改寫次數非常多，寫入也很快
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正確答案：C. 可改寫次數非常多，寫入也很快
MRAM 以磁化方向記憶，因此改寫次數遠多於伴隨氧化膜劣化的快閃記憶體（10¹⁰ 次以上），寫入也很快，只要數～數十 ns，且不需要抹除步驟。因此在微控制器與車用設備的嵌入式記憶體，以及頻繁記錄資料的用途中，採用逐漸增加。另一方面，單元大又無法堆疊，在大容量化與每位元單價上遠不及 NAND 快閃記憶體。