MRAM 的磁性穿隧接面（MTJ）中，廣泛作為穿隧位障層、能得到大穿隧磁電阻比的材料是下列何者？

正確答案：A. 氧化鎂（MgO）

將結晶性 MgO 用作穿隧位障時，只有具特定對稱性的自旋電子會選擇性穿隧，因此在室溫下可得到高達數百 % 的大 TMR 比（以往的非晶 Al2O3 只有數十 %）。2004 年日本產業技術總合研究所與 IBM 分別發表的這項技術，使 0 與 1 的電阻差變大，讓 HDD 的讀取磁頭得以大容量化，也促成了 MRAM 的實用化。