ReRAM 單元的電阻值變異大所造成的課題，下列何者正確？

正確答案：A. 區分高電阻與低電阻的餘裕變小，多值化與大容量化變得困難

ReRAM 中，導電細絲的粗細與位置是機率性決定的，因此電阻值不僅在單元之間（元件間）變異，同一個單元每次寫入（週期間）也會變異。當高電阻與低電阻的分布互相接近，讀取餘裕就變小，多值化與大規模陣列的實現變得困難。對策有寫入後確認並變更條件的方式，以及控制電流上限使電阻一致的方法。