新世代記憶體
相變記憶體（PCM）中，使單元成為低電阻結晶狀態（設定）時的加熱方式，下列何者正確？
- A快速加熱到超過熔點，然後立即急速冷卻
- B在結晶化溫度以上、熔點以下的溫度保持較長時間
- C完全不加熱
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正確答案：B. 在結晶化溫度以上、熔點以下的溫度保持較長時間
設定時，將非晶態的材料在結晶化溫度（GST 約 150 ℃）以上、熔點（約 600 ℃）以下的溫度保持數十～數百 ns，等待原子排列而結晶化。這段時間是決定 PCM 寫入速度的因素，比重置慢。藉由選擇結晶化快的材料，或採用容易形成結晶核的組成等來高速化。
- A. 加熱到熔點以上再急速冷卻的是重置（非晶化）的方法。
- B. 正確。保持在結晶化溫度以上、熔點以下使其結晶化。
- C. 不加熱的話狀態不會改變。