新世代記憶體 作為 ReRAM 電阻變化層而被研究、實用化的材料例子，下列何者正確？ A單質的銅 B氧化鉿或氧化鉭等金屬氧化物 C單晶矽 查看答案與解析 正確答案：B. 氧化鉿或氧化鉭等金屬氧化物 ReRAM 常使用氧化鉿、氧化鉭、氧化鈦等金屬氧化物。氧離子因電壓而移動，由缺氧部分（氧空缺）聚集而成的導電路徑會形成或消失，使電阻改變。氧化鉿與氧化鉭過去就用於 CMOS 的閘極絕緣膜與電容，製造設備與製程容易直接沿用，也是其優點。