新世代記憶體
STT-MRAM 寫入資訊的方法,下列何者正確?
- A僅以外部線圈產生的磁場寫入
- B照射紫外線寫入
- C以自旋極化電流產生的自旋轉移力矩使磁化反轉
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正確答案:C. 以自旋極化電流產生的自旋轉移力矩使磁化反轉
STT-MRAM 對 MTJ 通以電流,在參考層中自旋方向一致的電子,把角動量傳給記錄層(自旋轉移力矩),使磁化反轉。以電流的方向分別寫入 0 與 1。以外部磁場寫入的早期 MRAM,元件越小所需電流越大,而 STT 的寫入電流會隨元件面積成比例減小,適合微縮,是目前的主流。