新世代記憶體

STT-MRAM 寫入資訊的方法,下列何者正確?

  1. A僅以外部線圈產生的磁場寫入
  2. B照射紫外線寫入
  3. C以自旋極化電流產生的自旋轉移力矩使磁化反轉
查看答案與解析

正確答案:C. 以自旋極化電流產生的自旋轉移力矩使磁化反轉

STT-MRAM 對 MTJ 通以電流,在參考層中自旋方向一致的電子,把角動量傳給記錄層(自旋轉移力矩),使磁化反轉。以電流的方向分別寫入 0 與 1。以外部磁場寫入的早期 MRAM,元件越小所需電流越大,而 STT 的寫入電流會隨元件面積成比例減小,適合微縮,是目前的主流。

練習這個領域 前往領域頁面

新世代記憶體的其他題目

  1. 關於「儲存級記憶體」的定位,下列何者正確?
  2. 與快閃記憶體相比,MRAM 的一般優點,下列何者正確?
  3. 近年作為 FeRAM 與鐵電電晶體(FeFET)材料而受到矚目、與 CMOS 製程相容性佳的鐵電材料是下列何者?
  4. 相變記憶體(PCM)中,使單元成為高電阻非晶態(重置)的方法,下列何者正確?
  5. 使用電阻式記憶體等的記憶體內運算,主要期待的用途為何?

這個領域的比較