新世代記憶體
MRAM 作為微控制器等的嵌入式非揮發性記憶體而受到矚目，其理由之一，下列何者正確？
- A先進邏輯製程中嵌入式快閃記憶體的製造變得困難，而可在後段製程製作的 MRAM 成為替代候選
- B比 DRAM 容量大且便宜
- C斷電後資料會消失
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正確答案：A. 先進邏輯製程中嵌入式快閃記憶體的製造變得困難，而可在後段製程製作的 MRAM 成為替代候選
嵌入式快閃記憶體因浮動閘極的形成等，需要追加 10 片以上的光罩，在 28 nm 前後之後的世代，以及與 High-k／金屬閘極的組合中，已難以實現。MRAM 可在後段製程中途製作 MTJ，追加的光罩也只要數片，因此台積電與三星等晶圓代工廠在 22 nm 以下提供嵌入式 MRAM。在車用微控制器等的採用持續增加。