新世代記憶體 一般而言，可改寫次數最少的記憶體是下列何者？ ADRAM BSRAM CNAND 快閃記憶體 查看答案與解析 正確答案：C. NAND 快閃記憶體 DRAM 與 SRAM 幾乎不因改寫而劣化，實質上是無限次。NAND 快閃記憶體每當電子在高電場下通過穿隧氧化膜就會劣化，因此限於數千～數萬次（多值越少）。新型記憶體介於其間，PCM 與 ReRAM 約為 10⁶～10⁹ 次，FeRAM 為 10¹² 次以上，MRAM 為 10¹⁰ 次以上（幾乎無限），是選擇用途時的重要指標。