新世代記憶體
關於 MTJ 的穿隧磁電阻比（TMR 比），下列說明何者正確？
- A磁化平行時與反平行時的電阻差，除以平行時電阻所得的比值
- B絕緣層厚度與磁性層厚度的比值
- CMTJ 可通過的最大電流
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正確答案：A. 磁化平行時與反平行時的電阻差，除以平行時電阻所得的比值
TMR 比為 (R反平行 − R平行)/R平行，表示兩種狀態電阻差異的大小。例如 R平行 = 2 kΩ、R反平行 = 5 kΩ，則 TMR 比為 150%。數值越大，越容易讀出 0 與 1，讀取也可以更快。使用 MgO 位障在室溫下也有超過 600% 的報告，但量產的 MRAM 考量元件的小型化與耐熱性，約為 100～200%。
- A. 正確。是兩種狀態電阻差異的比值。
- B. 不是膜厚的比值。
- C. 最大電流是與 TMR 比不同的特性。