新世代記憶體
MTJ 中，兩個磁性層的磁化方向平行時與反平行時的電阻關係，下列何者正確？
- A兩者電阻相同
- B平行時電阻較高
- C平行時電阻較低
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正確答案：C. 平行時電阻較低
在磁性體中，多數自旋與少數自旋的電子，其狀態數不同。磁化平行時，兩側的多數自旋彼此對應，電子容易穿隧而電阻低；反平行時，一側的多數自旋只能進入另一側的少數自旋狀態，難以穿隧而電阻高。以這種電阻差異區分 0 與 1。
- A. 電阻相同的話就無法讀出資訊。
- B. 電阻變高的是反平行時。
- C. 正確。平行時電阻較低。