新世代記憶體
關於 MRAM 的記憶原理，下列何者正確？
- A磁性穿隧接面（MTJ）因磁化方向不同而造成的電阻差異
- B硫族化物材料的結晶狀態與非晶態之間的電阻差異
- C電容中有無儲存電荷
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正確答案：A. 磁性穿隧接面（MTJ）因磁化方向不同而造成的電阻差異
MRAM 使用磁性穿隧接面（MTJ），即以兩個磁性層夾住厚約 1 nm 的絕緣層。磁化方向平行時電阻低，反平行時電阻高，利用這種穿隧磁電阻效應區分 0 與 1，且磁化不需電源即可保持，因此是非揮發性。其優勢在於改寫次數幾乎無限且速度快。利用結晶與非晶之間電阻差異的是相變記憶體，利用電荷的是 DRAM。