GAA(ゲートオールアラウンド)とは

じーえーえー

チャネルの周囲を全方向からゲートで囲むトランジスタ構造。FinFETより電流の制御性が高く、FinFETの次の世代で使われる。

この用語の分野: 先端トランジスタ(FinFET・GAA)

解説の中の「GAA(ゲートオールアラウンド)」

「GAA(ゲートオールアラウンド)」が出てくる問題(20問)

  1. GAA(ゲートオールアラウンド)型トランジスタの説明として正しいものはどれか。
  2. GAAの次の世代の構造として研究されているCFET(Complementary FET)の特徴として正しいものはどれか。
  3. FinFETと比べたときの、ナノシート型GAAトランジスタの設計上の利点として正しいものはどれか。
  4. ナノシート型GAAトランジスタの製造で、SiとSiGeを交互に積み重ねた層からSiGe層だけを選択的に除去する理由として正しいものはどれか。
  5. ナノシート型GAAで、各シートの間のゲートとソース・ドレインの間に設ける絶縁物(インナースペーサー)の主な役割はどれか。
  6. GAA(ナノシート)型トランジスタを、世界で最初に量産に採用したと発表した企業と世代の組み合わせとして正しいものはどれか。
  7. ナノシート型GAAトランジスタの「ナノシート」が指すものとして正しいものはどれか。
  8. 量産されているナノシート型GAAトランジスタで、1つのトランジスタに積み重ねるナノシートの枚数として一般的なものはどれか。
  9. シリコンの不純物濃度を高くすると、キャリアの移動度は一般にどうなるか。
  10. nMOSFETのチャネル領域(p型基板)の不純物濃度を高くすると、しきい値電圧はどうなるか。
  11. MOSFETのパンチスルーの説明として正しいものはどれか。
  12. シリコンゲルマニウム(SiGe)の分類として正しいものはどれか。
  13. FinFETでトランジスタの実効的なチャネル幅を調整する方法として正しいものはどれか。
  14. 将来の極微細トランジスタのチャネル材料として研究されている、二硫化モリブデン(MoS2)などの材料の特徴として正しいものはどれか。
  15. トランジスタの性能指標「Ion/Ioff比」の説明として正しいものはどれか。

関連する用語

ナノシート FinFET SiGe(シリコンゲルマニウム) 短チャネル効果 移動度 CFET(相補型FET) CMOS ALD 空乏層 エピタキシャル成長

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