先端トランジスタ(FinFET・GAA) ナノシート型GAAトランジスタの製造で、SiとSiGeを交互に積み重ねた層からSiGe層だけを選択的に除去する理由として正しいものはどれか。 Aトランジスタを軽くするため B除去したすき間にゲート絶縁膜とゲート電極を埋め込み、Siのナノシートの全周をゲートで囲むため CSiGeが電気を通さないため 答えと解説を見る 正解：B. 除去したすき間にゲート絶縁膜とゲート電極を埋め込み、Siのナノシートの全周をゲートで囲むため ナノシート型GAAでは、SiとSiGeの積層を加工したあと、SiGeだけを選択的にエッチングして、Siのシートを宙に浮いた状態にします。そのすき間にHigh-k膜とメタルゲートを埋め込むことで、各シートの上下左右をゲートで囲む構造ができます。