次世代メモリ

近年、FeRAMや強誘電体トランジスタ(FeFET)の材料として注目されている、CMOSプロセスと相性のよい強誘電体材料はどれか。

  1. A酸化ハフニウム(HfO2)系
  2. B塩化ナトリウム
  3. Cポリエチレン
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正解：A. 酸化ハフニウム(HfO2)系

酸化ハフニウムは、もともとHigh-kゲート絶縁膜としてCMOSプロセスで使われてきた材料ですが、特定の条件で薄膜にすると強誘電性を示すことが発見されました。従来の強誘電体材料より微細化やCMOSとの集積がしやすいため、新しいメモリの材料として研究開発が進んでいます。

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