ナノシートとは

なのしーと

薄い板状のシリコンのチャネルを縦に何枚も積み重ね、それぞれをゲートで囲むGAAトランジスタの構造。シートの幅で電流を調整できる。

この用語の分野: 先端トランジスタ(FinFET・GAA)

解説の中の「ナノシート」

「ナノシート」が出てくる問題(14問)

  1. FinFETと比べたときの、ナノシート型GAAトランジスタの設計上の利点として正しいものはどれか。
  2. ナノシート型GAAトランジスタの製造で、SiとSiGeを交互に積み重ねた層からSiGe層だけを選択的に除去する理由として正しいものはどれか。
  3. ナノシート型GAAで、各シートの間のゲートとソース・ドレインの間に設ける絶縁物(インナースペーサー)の主な役割はどれか。
  4. GAA(ナノシート)型トランジスタを、世界で最初に量産に採用したと発表した企業と世代の組み合わせとして正しいものはどれか。
  5. ナノシート型GAAトランジスタの「ナノシート」が指すものとして正しいものはどれか。
  6. 量産されているナノシート型GAAトランジスタで、1つのトランジスタに積み重ねるナノシートの枚数として一般的なものはどれか。
  7. nMOSとpMOSのナノシートの間に薄い絶縁の壁を挟んで近づけ、セルの面積を小さくする構造はどれか。
  8. フィンやナノシートの厚さを数nmまで薄くしたときに生じる量子閉じ込め効果の影響として正しいものはどれか。
  9. GAA(ゲートオールアラウンド)型トランジスタの説明として正しいものはどれか。
  10. FinFETでトランジスタの実効的なチャネル幅を調整する方法として正しいものはどれか。
  11. GAAの次の世代の構造として研究されているCFET(Complementary FET)の特徴として正しいものはどれか。
  12. 選択エピタキシャル成長の説明として正しいものはどれか。
  13. 先端CMOSの工程で、シリコンやSiGeのエピタキシャル成長の温度を下げることが求められる理由として正しいものはどれか。
  14. プラズマで生成したラジカルだけをウエハに供給するダウンフロー型エッチングの特徴として正しいものはどれか。

関連する用語

GAA(ゲートオールアラウンド) FinFET SiGe(シリコンゲルマニウム) CMOS 短チャネル効果 エピタキシャル成長 CFET(相補型FET) 選択比 ALD 裏面電源供給

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