酸化・拡散
シリコンの熱酸化における酸化速度の面方位依存性として正しいものはどれか。
- A(100)面の方が(111)面より酸化速度が速い
- B面方位によらず酸化速度は同じである
- C(111)面の方が(100)面より酸化速度が速い
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正解：C. (111)面の方が(100)面より酸化速度が速い
同じ条件では、(111)面の方が(100)面より酸化速度が速くなります。表面の原子密度が高く、酸化反応に使える結合が多いためです。FinFETのように側面と上面で面方位が異なる構造では、この違いを考慮する必要があります。