SRAM・フラッシュメモリ
フラッシュメモリの消去で、フローティングゲートなどから電子を引き抜くと、セルのしきい値電圧はどうなるか。
- A高くなる
- B低くなる
- C変化しない
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正解:B. 低くなる
フローティングゲートに電子(負の電荷)があると、チャネルをつくるのにより大きなゲート電圧が必要になるため、しきい値電圧は高くなります。消去で電子を引き抜くとしきい値電圧は低くなり、書き込みで電子を注入すると高くなります。
SRAM・フラッシュメモリ
正解:B. 低くなる
フローティングゲートに電子(負の電荷)があると、チャネルをつくるのにより大きなゲート電圧が必要になるため、しきい値電圧は高くなります。消去で電子を引き抜くとしきい値電圧は低くなり、書き込みで電子を注入すると高くなります。