SRAM・フラッシュメモリ

NANDフラッシュで、少しずつ電圧を上げた書き込みパルスを繰り返し、そのたびにしきい値電圧を確認しながら書き込む方式はどれか。

  1. AECC
  2. BISPP(インクリメンタルステップパルスプログラミング)
  3. CTRIM
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正解：B. ISPP(インクリメンタルステップパルスプログラミング)

ISPPでは、小さな電圧のパルスから始めて、パルスごとに少しずつ電圧を上げながら書き込み、各パルスのあとにしきい値電圧を確認(ベリファイ)します。目標に達したセルはそれ以上書き込まないようにすることで、しきい値電圧の分布を狭くそろえられ、多値化に欠かせない技術です。

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