基板バイアス効果とは
きばんばいあすこうか
ソースと基板(ボディ)の間に逆バイアスを加えると、空乏層の電荷が増えてしきい値電圧が上がる現象。ボディ効果とも呼ぶ。しきい値の調整に利用されることもある。
この用語の分野: MOSFET
きばんばいあすこうか
ソースと基板(ボディ)の間に逆バイアスを加えると、空乏層の電荷が増えてしきい値電圧が上がる現象。ボディ効果とも呼ぶ。しきい値の調整に利用されることもある。
この用語の分野: MOSFET
そのためしきい値電圧が上がります(基板バイアス効果、ボディ効果)。
nチャネルMOSFETで、ソースに対して基板(ボディ)に負の電圧をかける(基板バイアスをかける)と、しきい値電圧はどう…しきい値電圧 空乏層 LDD構造 貫通電流 サブスレッショルドスイング GIDL(ゲート誘起ドレインリーク) CMOS 相互コンダクタンス 速度飽和 短チャネル効果