nチャネルMOSFETの断面(オンの状態)

nチャネルMOSFETの断面(オンの状態) p型基板 ソース n⁺ ドレイン n⁺ ゲート VGS > Vth 電子の反転層(チャネル) ゲート絶縁膜

nチャネルMOSFETは、p型の基板にn⁺のソースとドレインを作り、その間の表面を薄いゲート絶縁膜を挟んでゲート電極で覆った構造です。ゲートに電圧をかけないときは、ソースとドレインの間はp型なので電流は流れません。

ゲートに正の電圧をかけていくと、表面の正孔が追い払われて空乏層ができ、さらにしきい値電圧を超えると表面に電子が集まってn型に反転します。この電子の層(反転層)がチャネルとなってソースとドレインをつなぎ、トランジスタがオンになります。

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この図が出てくる問題

  1. エンハンスメント型のnチャネルMOSFETがオン(導通)するための条件として正しいものはどれか。(VGS:ゲート-ソース間電圧、Vth:しきい値電圧)

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