空乏層とは

くうぼうそう

PN接合の境界付近にできる、キャリアがほとんど存在しない領域。逆バイアスで広がる。

PN接合の空乏層と逆方向バイアス 電子 正孔 バイアスなし −,+,−,+ ,,, ,,,, p型 n型 空乏層 逆方向バイアスを大きくしたとき −,+,−,+,−,+,−,+,−,+,−,+ ,, ,,, p型 n型 空乏層が広がる

この用語の分野: PN接合・ダイオード

解説の中の「空乏層」

「空乏層」が出てくる問題(40問)

  1. PN接合に加える逆方向バイアス電圧を大きくすると、空乏層の幅はどうなるか。
  2. p側の不純物濃度がn側よりはるかに高いPN接合(p+n接合)で、空乏層はどのように広がるか。
  3. 片側階段接合の空乏層の幅と逆バイアス電圧Vの関係として正しいものはどれか。(Vが内蔵電位より十分大きい場合)
  4. 熱平衡状態のPN接合の空乏層の説明として正しいものはどれか。
  5. 逆バイアスのPN接合の空乏層容量(接合容量)Cを、接合の面積A、空乏層の幅W、半導体の誘電率εで表した式はどれか。
  6. p型半導体の多数キャリアはどれか。
  7. 禁制帯の中にできた深い準位(トラップ)を介して電子と正孔が再結合する過程を何と呼ぶか。
  8. シリコンの比誘電率に最も近い値はどれか。
  9. PN接合ダイオードの逆方向飽和電流と温度の関係として正しいものはどれか。
  10. 可変容量ダイオード(バラクタダイオード)が利用している性質はどれか。
  11. PN接合の内蔵電位(拡散電位)と、両側の不純物濃度の関係として正しいものはどれか。
  12. なだれ降伏の仕組みとして正しいものはどれか。
  13. 不純物濃度が非常に高いPN接合で、低い逆電圧で起こる降伏の主な仕組みはどれか。
  14. フォトダイオードを光の検出に使うときの一般的な使い方として正しいものはどれか。
  15. p層とn層の間に不純物の少ないi層を挟んだPINダイオードの特徴として正しいものはどれか。

関連する用語

接合容量(空乏層容量) しきい値電圧 内蔵電位 開口数(NA) なだれ降伏 パンチスルー FinFET アクセプタ 暗電流 フォトダイオード

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