DIBLとは
でぃぶる
Drain Induced Barrier Lowering の略。短チャネルのMOSFETで、ドレイン電圧が高いほどソース側の電位障壁が下がり、しきい値電圧が低下する現象。オフ時のリーク電流を増やす。
この用語の分野: MOSFET
解説の中の「DIBL」
DIBLは「ドレイン電圧1 Vあたりのしきい値の変化(mV/V)」で表し、先端のトランジスタでは数十mV/V以下に抑えます。
DIBL(Drain Induced Barrier Lowering)の説明として正しいものはどれか。DIBLはドレイン電圧によるしきい値の低下、NBTIはpMOSの劣化です。
ゲートとドレインが重なる部分の強い電界によってバンド間トンネル電流が流れ、オフ時のリーク電流が増える現象はどれか。その結果、しきい値電圧の低下(ロールオフ)、ドレイン電圧によるしきい値の低下(DIBL)、サブスレッショルド係数の悪化、オフ時のリーク電流の増加などが起こります。
MOSFETの短チャネル効果として当てはまるものはどれか。
「DIBL」が出てくる問題(3問)
関連する用語
しきい値電圧 GIDL(ゲート誘起ドレインリーク) NBTI 短チャネル効果 空乏層 LDD構造 貫通電流 基板バイアス効果 サブスレッショルドスイング CMOS