MOSFETのしきい値電圧を定義するときに用いられる「強反転」の条件として一般的なものはどれか。(φF:フェルミ電位)

正解：B. 表面電位が 2φF になる(表面の少数キャリア密度が基板の多数キャリア密度に等しくなる)

強反転の開始は、表面電位が 2φF になるとき、つまり表面の電子密度が基板内部の正孔密度と等しくなるときと定義されることが一般的です。このときのゲート電圧がしきい値電圧で、フラットバンド電圧、2φF、空乏層電荷による電圧の和で表されます。

• A. 表面電位が負の向きでは、p型基板の表面は蓄積状態になります。
• B. 正しい。表面電位 2φF が強反転の目安です。
• C. 表面電位ゼロはフラットバンドの状態です。