SRAM・フラッシュメモリ

QLC(1セル4ビット)のNANDフラッシュで、1つのセルが区別しなければならないしきい値電圧の状態の数はいくつか。

  1. A4
  2. B8
  3. C16
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正解：C. 16

1セルにNビットを記憶するには、2ᴺ個のしきい値電圧の状態を区別する必要があります。QLCでは 2⁴ = 16 状態です。SLCは2状態、MLCは4状態、TLCは8状態です。状態が増えるほど各状態の間隔が狭くなり、読み書きの精度が求められます。

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