High-k/メタルゲートとは
はいけーめたるげーと
高誘電率のゲート絶縁膜と金属のゲート電極の組み合わせ。ゲートリークを抑えながらゲート容量を確保できる。
この用語の分野: 先端トランジスタ(FinFET・GAA)
解説の中の「High-k/メタルゲート」
45 nm世代以降のHigh-k/メタルゲート(HKMG)では、金属の電極を使うためこの問題が解消されています。
ポリシリコンゲートで、ゲート電極側のポリシリコンが空乏化することによる問題として正しいものはどれか。ただしフローティングゲートの形成など工程が多く、28 nm前後より先の世代やHigh-k/メタルゲートとの混載が難しいため、より少ない工程で作れるMRAMやReRAMへの置き換えが進んでいます。
マイコンのプログラムを格納するために、ロジック回路と同じチップに混載されてきた不揮発メモリはどれか。組み込みフラッシュはフローティングゲートの形成などで10枚以上のマスクを追加する必要があり、28 nm前後より先の世代やHigh-k/メタルゲートとの組み合わせでは実現が難しくなっています。
MRAMが、マイコンなどの組み込み不揮発メモリとして注目されている理由の一つとして正しいものはどれか。
「High-k/メタルゲート」が出てくる問題(6問)
- High-k/メタルゲートのトランジスタで、しきい値電圧を調整する主な手段の一つはどれか。
- High-k/メタルゲートのトランジスタで、シリコンとHigh-k膜(ハフニウム系酸化膜など)の間に、ごく薄いSiO2などの層を設けることが多い理由はどれか。
- High-k/メタルゲートのnMOSトランジスタで、ゲートに正の電圧と高温が加わり続けるとしきい値電圧が変化していく劣化を何と呼ぶか。
- ポリシリコンゲートで、ゲート電極側のポリシリコンが空乏化することによる問題として正しいものはどれか。
- マイコンのプログラムを格納するために、ロジック回路と同じチップに混載されてきた不揮発メモリはどれか。
- MRAMが、マイコンなどの組み込み不揮発メモリとして注目されている理由の一つとして正しいものはどれか。
関連する用語
しきい値電圧 マイコン(マイクロコントローラ) フローティングゲート MRAM 仕事関数 フラットバンド電圧 移動度 EOT(等価酸化膜厚) NBTI 空乏層