MOSFET

長チャネルのMOSFETが飽和領域で動作しているとき、ドレイン電流IDはおよそ何に比例するか。(VGS:ゲート-ソース間電圧、Vth:しきい値電圧)

  1. A(VGS − Vth)の2乗
  2. BVGS − Vth
  3. CVGSの逆数
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正解：A. (VGS − Vth)の2乗

長チャネルのMOSFETの飽和領域では、ID = (1/2) μ Cox (W/L) (VGS − Vth)² という式で表され、ドレイン電流は(VGS − Vth)の2乗に比例します。短チャネルのトランジスタでは、速度飽和などによってこの2乗則からずれていきます。

MOSFETのドレイン電流とドレイン電圧の関係 ドレイン-ソース間電圧 VDS ドレイン電流 ID ,,1 ,,4 ,,9 VGS − Vth = 3 V = 2 V = 1 V 線形領域 飽和領域 飽和電流は (VGS − Vth)² に比例
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