TLC(トリプルレベルセル)とは

てぃーえるしー

フラッシュメモリの1つのセルに3ビットを記憶する方式。8つのしきい値電圧の状態を区別する必要があり、容量あたりのコストは下がるが、書き換え可能回数は少なくなる。1セル4ビットはQLC。

この用語の分野: SRAM・フラッシュメモリ

解説の中の「TLC(トリプルレベルセル)」

「TLC(トリプルレベルセル)」が出てくる問題(9問)

  1. TLCやQLCのSSDで、一部の領域をSLCとして使い、書き込みを一時的に受け止める仕組みの主な目的はどれか。
  2. SLC、MLC、TLCを、書き換え可能回数の多い順に並べたものはどれか。
  3. 多値(MLCやTLC)のNANDフラッシュで、隣り合うしきい値電圧の状態に割り当てるビットの並びを、1ビットだけ異なるようにする理由として正しいものはどれか。
  4. フラッシュメモリで、1つのメモリセルに3ビットの情報を記憶する方式を何と呼ぶか。
  5. 3D NAND型フラッシュメモリの説明として正しいものはどれか。
  6. フラッシュメモリの書き換え可能回数に上限がある主な理由はどれか。
  7. SLC(Single-Level Cell)型のフラッシュメモリは、1つのセルに何ビットを記憶するか。
  8. SLC型のNANDフラッシュメモリの書き換え可能回数の目安として最も近いものはどれか。
  9. NAND型フラッシュメモリで、データの読み出しと書き込み(プログラム)を行う基本的な単位はどれか。

関連する用語

SLC(シングルレベルセル) しきい値電圧 グレイコード ECC(誤り訂正符号) 3D NAND ウェアレベリング NAND型フラッシュメモリ ワード線 ガベージコレクション NVMe

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