SRAM・フラッシュメモリ
SLC型のNANDフラッシュメモリの書き換え可能回数の目安として最も近いものはどれか。
- A約100回
- B約10万回
- C約1億回
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正解：B. 約10万回
SLCの書き換え回数の目安は約5万〜10万回程度で、1セルに記憶するビット数が増えるMLC・TLC・QLCの順に少なくなります(TLCでは数千回程度)。書き換えのたびにトンネル酸化膜が少しずつ劣化することが限界の主な原因です。
- A. 約100回はSLCとしては少なすぎます。
- B. 正しい。SLCは約10万回が目安です。
- C. 約1億回はフラッシュメモリとしては多すぎます。